半導體部門三星代工宣布，其位於 Hwasong 的工廠已開始生產 3nm 晶片。與使用 FinFet 技術的上一代產品不同，這家韓國巨頭現在採用 GAA（Gate-All-Around）電晶體架構，顯著提高了能源效率。
採用 MBCFET（多橋通道）GAA 架構的 3nm 晶片將透過降低電源電壓等方式獲得更高的能源效率。三星還在高性能智慧型手機晶片組的半導體晶片中使用奈米板晶體管。
與奈米線技術相比，具有更寬通道的奈米板可實現更高的性能和效率。透過調整奈米板的寬度，三星客戶可以根據自己的需求客製化性能和功耗。
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三星表示，與 5nm 晶片相比，新晶片的性能提高了 23%，能耗降低了 45%，面積縮小了 16%。他們的第二代產品性能應提高 2%，效率提高 30%，面積縮小 50%。
「隨著我們在製造領域應用下一代技術方面不斷展現領先地位，三星正在快速發展。我們的目標是透過採用 MBCFETTM 架構的首款 3nm 製程繼續維持這一領先地位。我們將繼續在有競爭力的技術開發方面積極創新，並創建有助於加速實現技術成熟的流程。” 三星半導體業務負責人 Siyoung Choi 表示。
