三星在美國的一次會議上公佈了其半導體業務的計劃。他展示了逐步過渡到 7nm LPP（Low Power Plus）、5nm LPE（Low Power Early）、4nm LPE/LPP 和 3nm Gate-All-Around Early/Plus 技術的路線圖。
這家韓國巨頭將於明年下半年開始生產 7nm LPP 技術，該技術將採用 EUV 光刻技術，而與此同時競爭對手台積電希望採用改進的 7nm+ 製程開始生產，並開始採用 5nm 製程進行風險生產。
三星將於5年底開始生產採用2019nm LPE製程的晶片組，並於4年開始生產2020nm LPE/LPP製程的晶片組。4nm技術將成為最後使用FinFET電晶體的技術。 5nm和4nm製程都有望縮小晶片組的尺寸，但同時提高效能並降低功耗。
從3nm技術開始，該公司將轉向自己的MBCFET（多橋通道FET）GAA（Gate All around）架構。如果一切按計劃進行，晶片組應該會在 3 年使用 2022nm 製程生產。
