目前，三星正準備開始生產超高速 UFS 2.0 NAND 閃存，並計劃用於其未來的旗艦產品三星 Galaxy S6。到目前為止，採用的是eMMC NAND快閃記憶體技術，能夠實現400MB/s的傳輸速度。然而，由於新的第二代 UFS 技術，內存將位於手機中 Galaxy S6 的傳輸速度高達 1.2 GB/s，即速度提高了三倍。
這當然會體現在大檔案的傳輸上，例如使用 LTE-A 連接傳輸 4K 視訊。此外，與eMMC 5.0相比，該技術的功耗降低高達50%，這對新手機的電池壽命產生正面影響。三星還計劃在其 SD 和 microSD 卡中使用該技術，顯然已經在為此努力。三星在中國的主要競爭對手小米也計劃使用UFS閃存，看來豐島、海力士和美光也會對此表現出興趣。此外，由於UFS技術，三星如果想在電腦和手機之間傳輸檔案時使用傳輸速度，將被迫使用microUSB 3.0連接埠。
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*來源： ETNews
