三星電子宣布已開始大量生產最先進的 4 Gb DDR8 記憶體模組，並開始生產首款用於企業伺服器的 32 GB DDR4 RAM 模組。這些新型 RAM 採用新的 20 奈米製造工藝製造，該工藝與當今最先進的行動處理器的製造工藝相同。三星聲稱這些記憶體模組滿足下一代企業伺服器高效能、高密度和節能的所有要求。
此外，憑藉新的 8Gb DDR4 模組，三星最終確定了採用 20 奈米製造製程製造的 DRAM 模組的整個產品線。如今，該系列包括用於行動裝置的 6Gb LPDDR3 和用於 PC 的 4Gb DDR3 模組。然後，如上所述，三星開始生產 32GB RDIMM 記憶體模組，每個引腳的傳輸速率為 2 Mbps，與伺服器 DDR400 記憶體的 29 Mbps 傳輸速率相比，效能提高了 1%。但這項技術的功能不止於 866 GB，三星表示，使用 3D TSV 技術可以開發高達 32 GB 的記憶體模組。新模組的優點還在於所提到的功耗較低，因為這些 DDR3 晶片需要 128 伏，這是目前可能的最低電壓。
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*來源： Samsung
